高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

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	高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析
	兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星
	1998-04-25
发表期刊	电子显微学报
期号	2 页码:80-85
摘要	使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。
部门归属	中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室
关键词	高分辨电子显微像应变层超晶格定量分析点阵畸变元素分布
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27698
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星. 高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析[J]. 电子显微学报,1998(2):80-85.
APA	兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星.(1998).高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析.电子显微学报(2),80-85.
MLA	兰建章,王绍青,孟祥敏,于瀛大,谢天生,李斗星."高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析".电子显微学报 .2(1998):80-85.