| C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化 |
| 张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂
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| 1998-04-20
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| 发表期刊 | 炭素技术
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| 期号 | 2页码:6-9 |
| 摘要 | 研究B4C／SiC值不同的三种C－SiC－B4C复合材料在非等温氧化过程中的失重／增重行为。发现B4C／SiC值不同．复合材料的氧化行为有较大差异．当B4C／SiC值为0．2时，复合材料在773～1573K的实验温度区间内表现为净失重；当B4C／SiC值为0．4和0．6时，则在不同的温度区间出现不同程度的增重现象，B4C／SiC值越大，增重越明显；高温（1473K以上）氧化时，B4C／SiC值越大则氧化速率越大。SEM观察到复合材料氧化后．表面生成完整或部分完整的氧化物玻璃保护层，其完整程度大致与复合材料的氧化失重结果相一致。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳，110015,中国科学院金属研究所!沈阳，110015,中国科学院金属研究所!沈阳，110015,国际材料物理中心
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| 关键词 | C－sic－b_4c复合材料
非等温氧化
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27702
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂. C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化[J]. 炭素技术,1998(2):6-9.
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| APA |
张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂.(1998).C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化.炭素技术(2),6-9.
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| MLA |
张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂."C-SiC-B_4C复合材料的非等温氧化".炭素技术 .2(1998):6-9.
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