| 电镀纳米镍缺陷的正电子研究 |
| 吴秋允,初业隆,熊良铖,孙秀魁,胡壮麒
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| 1998-04-10
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| 发表期刊 | 核技术
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| 期号 | 4页码:213-216 |
| 摘要 | 用正电子寿命谱研究了电镀纳米镍（～２０ｍｍ）中的微观缺陷，分析了缺陷中的氢对正电子寿命的影响。实验结果表明：界面存在单空位大小的自由体积、６－１０个空位大小的自由体积和微孔洞三类缺陷；纳米镍在５００℃真空退火２ｈ后，中间寿命和最长寿命的强度不受影响，表明中间寿命和最长寿命所对应的缺陷具有很好的热稳定性。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所，辽宁省材料与氢重点实验室
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| 关键词 | 正电子湮没
电镀纳米镍
微观缺陷
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27719
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
吴秋允,初业隆,熊良铖,孙秀魁,胡壮麒. 电镀纳米镍缺陷的正电子研究[J]. 核技术,1998(4):213-216.
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| APA |
吴秋允,初业隆,熊良铖,孙秀魁,胡壮麒.(1998).电镀纳米镍缺陷的正电子研究.核技术(4),213-216.
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| MLA |
吴秋允,初业隆,熊良铖,孙秀魁,胡壮麒."电镀纳米镍缺陷的正电子研究".核技术 .4(1998):213-216.
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