| 不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱 |
| 王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭
|
| 1998-02-10
|
| 发表期刊 | 核技术
 |
| 期号 | 2页码:113-116 |
| 摘要 | 用正电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的正电子寿命谱。结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下降，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小。认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金的Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％是必要的 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
|
| 关键词 | 正电子寿命谱
高温合金
磷
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27753
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭. 不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱[J]. 核技术,1998(2):113-116.
|
| APA |
王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭.(1998).不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱.核技术(2),113-116.
|
| MLA |
王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭."不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱".核技术 .2(1998):113-116.
|
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论