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TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究
张立春,王金国,陈国良,叶恒强
1997-12-30
发表期刊中国有色金属学报
期号4页码:91-96
摘要利用常规和高分辨电镜(HREM),研究了热形变诱导的Ti45Al8Nb2.5Mn0.05B合金中偏离严格取向关系的α2/γ片层界面结构,以及横过片层的T(Q)型γ孪晶与α2(Q)薄层优先在这些偏离严格取向关系的α2/γ片层界面上形成的机理。由于其片层界面上较大的应力集中,通过界面上的复杂位错核心反应将导致这些T(Q)型γ孪晶与α2(Q)薄层的产生。
部门归属北京科技大学新金属材料国家重点实验室,中国科学院金属研究所固体原子象开放实验室
关键词Tial合金 Α_2/γ相界面 热形变诱导
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27769
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张立春,王金国,陈国良,叶恒强. TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究[J]. 中国有色金属学报,1997(4):91-96.
APA 张立春,王金国,陈国良,叶恒强.(1997).TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究.中国有色金属学报(4),91-96.
MLA 张立春,王金国,陈国良,叶恒强."TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究".中国有色金属学报 .4(1997):91-96.
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