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Cu双晶循环形变饱和位错结构
胡运明,王中光
1997-10-15
发表期刊自然科学进展
期号5页码:108-114
摘要用透射电子显微镜(TEM)研究了3种Cu双晶循环形变饱和位错结构,双晶标记为[135]/[135],[235]/[235]以及[345]/[117].观察表明,双晶的饱和位错结构与其循环应力-应变响应一致。在[135]/[135],[235]/[235]平行晶界双晶循环应力-应变曲线(CSS曲线)平台区,饱和位错结构基本上由驻留滑移带(PSB)的梯状结构和基体的脉络结构组成。在平台区以上,其位错结构为胞结构或迷宫结构。对于CSS曲线不呈现平台的[345]/[117]垂直晶界双晶,低应变幅下,[345]组元中的位错结构由脉络结构组成,[117]组元中位错结构主要由发展不完全的迷宫组成,还形成少量的不规则的PSB梯状结构。高应变幅下,在[345]组元中形成胞结构,[117]组元中形成迷宫结构。
部门归属中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室 沈阳 110015,沈阳 110015
关键词Cu双晶 Psb楼梯结构 基体脉络结构 迷宫结构 胞结构
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27807
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡运明,王中光. Cu双晶循环形变饱和位错结构[J]. 自然科学进展,1997(5):108-114.
APA 胡运明,王中光.(1997).Cu双晶循环形变饱和位错结构.自然科学进展(5),108-114.
MLA 胡运明,王中光."Cu双晶循环形变饱和位错结构".自然科学进展 .5(1997):108-114.
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