| Si纳米纤维的等离子体制备工艺 |
| 林成福,汪伟,赵志成,闻立时
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| 1997-09-18
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 9页码:991-994 |
| 摘要 | 本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Si纤维通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约600℃同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Si团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的非晶层是导致团聚体自扩散和表面扩散一维生长的直接条件 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳，110015,中国科学院金属研究所!沈阳，110015,中国科学院金属研究所!沈阳，110015,中国科学院金属研究所!沈阳，110015
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| 关键词 | 电弧等离子体蒸发
硅纤维
沉积温度
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27819
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
林成福,汪伟,赵志成,闻立时. Si纳米纤维的等离子体制备工艺[J]. 金属学报,1997(9):991-994.
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| APA |
林成福,汪伟,赵志成,闻立时.(1997).Si纳米纤维的等离子体制备工艺.金属学报(9),991-994.
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| MLA |
林成福,汪伟,赵志成,闻立时."Si纳米纤维的等离子体制备工艺".金属学报 .9(1997):991-994.
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