用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究

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	用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究
	宫波,陈道伦,苏会和,王中光
	1997-06-18
发表期刊	金属学报
期号	6 页码:561-565
摘要	用扫描电镜（SEM）的电了通道讨度（ECC）技术研究了[001]取向铜单晶中的疲劳位错结构结果表明，SEMECC技术不仅可以真实地、全面地显示疲劳位错组态，而且还揭示了表面出现的宏观形变带与位错结构的对应关系.
部门归属	中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳,110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳,110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳,110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳,110015
关键词	扫描电镜电子通道衬度技术铜单晶体位错结构
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27856
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	宫波,陈道伦,苏会和,王中光. 用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究[J]. 金属学报,1997(6):561-565.
APA	宫波,陈道伦,苏会和,王中光.(1997).用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究.金属学报(6),561-565.
MLA	宫波,陈道伦,苏会和,王中光."用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究".金属学报 .6(1997):561-565.