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稳态层片共晶长生模型——Ⅰ.理论分析
姚向东,黄韬,周尧和,胡壮麒
1996-12-15
发表期刊自然科学进展
期号6页码:44-49
摘要修正了JH经典模型关于平界面生长假设,建立新的层片共晶生长模型。应用严格的界面曲率数学公式,数值计算界面过冷度普适性方程,获得正确的共晶生长界面形态。并计算了稳态相间距选择极限,表明层片共晶生长存在稳态间距选择范围,随生长速度增大,选择范围越来越尖锐。最小相间距λ_m和JH及Trivedi模型结果一致,而最大相间距λ_M则不遵循上述经典模型。
部门归属中国科学院金属研究所,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015,西安 710072,沈阳 110015,沈阳 110015
关键词稳态共晶生长 相间距选择 界面过冷度方程
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27945
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
姚向东,黄韬,周尧和,胡壮麒. 稳态层片共晶长生模型——Ⅰ.理论分析[J]. 自然科学进展,1996(6):44-49.
APA 姚向东,黄韬,周尧和,胡壮麒.(1996).稳态层片共晶长生模型——Ⅰ.理论分析.自然科学进展(6),44-49.
MLA 姚向东,黄韬,周尧和,胡壮麒."稳态层片共晶长生模型——Ⅰ.理论分析".自然科学进展 .6(1996):44-49.
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