| 纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻 | |
| 秦荣山,周本濂 | |
| 1996-10-18 | |
| 发表期刊 | 金属学报
 |
| 期号 | 10页码:1093-1096 |
| 摘要 | 利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所，中国科学院国际材料物理中心 |
| 关键词 | 纳米晶 晶格畸变 Landauer电阻 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27964 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦荣山,周本濂. 纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻[J]. 金属学报,1996(10):1093-1096. |
| APA | 秦荣山,周本濂.(1996).纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻.金属学报(10),1093-1096. |
| MLA | 秦荣山,周本濂."纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻".金属学报 .10(1996):1093-1096. |
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