| 化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制 |
| 魏永良,刘文川,邓景屹
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| 1996-09-21
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| 发表期刊 | 炭素
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| 期号 | 3页码:12-17 |
| 摘要 | 本研究用化学气相渗技术制备了四种Ｃ／ＳｉＣ复合材料：在ＣＨ３ＳｉＣｌ３＋Ｈ２（普通）＋Ａｒ（高纯）系统中制各了两种材料：材料Ａ为１Ｋ炭布层叠无热解炭界面层，材料Ｂ为１Ｋ炭布层叠有热解炭界面层；在ＣＨ３ＳｉＣｌ３＋Ｈ２（高纯）＋Ａｒ（高纯）系统中制备了另两种材料：材料Ｃ和材料Ｄ分别为１Ｋ、Ｔ３００炭布层叠有热解炭界面层．分别对其中每两种材料进行了相互比较，研究了骨架纤维、界面层及基体对整个复合材料性能的影响；通过控制上述三方面因素可以对Ｃ／ＳｉＣ复合材料的总体结构进行设计从而控制其材料最终性能。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | C／sic复合材料
增强骨架
界面层
基体
材料性能
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27975
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
魏永良,刘文川,邓景屹. 化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制[J]. 炭素,1996(3):12-17.
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| APA |
魏永良,刘文川,邓景屹.(1996).化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制.炭素(3),12-17.
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| MLA |
魏永良,刘文川,邓景屹."化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制".炭素 .3(1996):12-17.
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