用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨

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	用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨
	胡冬,夏非,关振铎
	1996-06-26
发表期刊	硅酸盐学报
期号	3 页码:347-351
摘要	探讨了用（Ｓｉ＋Ｍｏ）合金浸渗反应烧结ＳｉＣ，研制了烧结温度为１６５０℃的反应烧结ＳｉＣ，并且探索了以难熔的第二相ＭｏＳｉ＿２取代反应烧结ＳｉＣ方法。所获得的ＳｉＣ／ＭｏＳｉ＿２复合材料的相对密度为９６．４５％。检测了烧结体的微观结构及力学性能，并进行了讨论。
部门归属	中国科学院金属研究所，清华大学材料科学与工程系
关键词	碳化硅二硅化钼浸渗烧结
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28015
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡冬,夏非,关振铎. 用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨[J]. 硅酸盐学报,1996(3):347-351.
APA	胡冬,夏非,关振铎.(1996).用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨.硅酸盐学报(3),347-351.
MLA	胡冬,夏非,关振铎."用（Si＋Mo）合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨".硅酸盐学报 .3(1996):347-351.