用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度

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	用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
	吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军
	1996-03-10
发表期刊	核技术
期号	3 页码:160-163
摘要	测量了欠时效和峰值时效的Ａｌ—Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ－Ｚｒ合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱．对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明．两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多；缺陷的平均开空间更大．而且随着δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相粒子的长大，样品基体中自由电子密度提高，增加了合金基体的强度．
部门归属	广西大学，中国科学院金属研究所
关键词	正电子寿命谱 Al－li－cu－mg－zr合金深低温缺陷体电子密度
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28062
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军. 用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度[J]. 核技术,1996(3):160-163.
APA	吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军.(1996).用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度.核技术(3),160-163.
MLA	吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军."用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度".核技术 .3(1996):160-163.