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热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究
李亚利,梁勇,郑丰,肖克沈,胡壮麒
1996-02-15
发表期刊无机材料学报
期号1页码:162-166
摘要本文在1473~1972K温度范围内对激光合成的、平均粒径为30nm的非晶Si-N-C粉进行热处理(latm.N2,1h);研究了粉体的晶化及微结构变化,结果表明,纳米非晶Si-N-C粉具有短程有序的亚稳结构,此亚稳结构在>1523K发生稳定团相分离,在1773K开始形成α-Si3N4;β-SiC,此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇;到1873K晶化加剧,α-Si3N4和β-SiC明显增多,并有少量的石墨碳形成。在1773~1873K,由固相分离形成α-Si3N4/β-SiC纳米复合结构。
部门归属中国科学院金属研究所快速凝固非平衡合金国家实验室,中国科学院金属研究所微晶与激光加工实验室
关键词热处理 晶化 微结构 纳米粉
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28080
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李亚利,梁勇,郑丰,肖克沈,胡壮麒. 热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究[J]. 无机材料学报,1996(1):162-166.
APA 李亚利,梁勇,郑丰,肖克沈,胡壮麒.(1996).热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究.无机材料学报(1),162-166.
MLA 李亚利,梁勇,郑丰,肖克沈,胡壮麒."热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究".无机材料学报 .1(1996):162-166.
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