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用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响
谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁
1995-09-08
发表期刊金属学报
期号17页码:238-240
摘要本文用正电子湮没技术(PTA)研究了含不同zr量多晶Ni3Al的e+寿命谱。结果表明:在Ni3Al中加入Zr,一部分Zr原子进行原子替位,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ_1)增长;另一部分在晶界偏聚的Zr调整了晶界结构,使平均寿命(τ)下降。当Zr量为1.2at.-%时,缺陷态的寿命τ2显著增长,表明有自由体积较大的缺陷组态生成.
部门归属中国科学院金属研究所,上海交通大学
关键词正电子湮没 Ni_3al Zr 缺陷态
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28164
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁. 用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响[J]. 金属学报,1995(17):238-240.
APA 谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁.(1995).用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响.金属学报(17),238-240.
MLA 谷月峰,邓文,郭建亭,熊良钺,林栋梁."用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响".金属学报 .17(1995):238-240.
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