| 化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究 |
| 刘文川,魏永良,纪锐,孙守金,刘敏,王作明
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| 1995-04-28
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| 发表期刊 | 高技术通讯
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| 期号 | 4页码:36-40 |
| 摘要 | 对均热法、热梯度法和压差－温度梯度法三种化学气相渗ＳｉＣ工艺进行了研究，结果表明：三种方法制备周期依次缩短。均热法适合制备形状复杂的样品，提高沉积效率靠增大沉积炉和多放样品来实现，整个过程受气体自由扩散所控制；热梯度法适合制备形状简单、规则的薄壁试样，每炉只能做一个，过程主要受样品内外温度梯度所控制，用该法可以制备出成分连续变化的功能梯度材料；压差－温度梯度法适合制备板状、圆筒状厚壁样品，过程受样品两侧的温度差和气体压力差所控制。三种方法各有优缺点。根据需要可灵活运用。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 均热法
热梯度法
压差－温度梯度法
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28236
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘文川,魏永良,纪锐,孙守金,刘敏,王作明. 化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究[J]. 高技术通讯,1995(4):36-40.
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| APA |
刘文川,魏永良,纪锐,孙守金,刘敏,王作明.(1995).化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究.高技术通讯(4),36-40.
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| MLA |
刘文川,魏永良,纪锐,孙守金,刘敏,王作明."化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究".高技术通讯 .4(1995):36-40.
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