| 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须 |
| 李亚利,梁勇,高阳,肖克沈,郑丰,王亚庆,胡壮麒
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| 1995-04-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 2页码:149-152 |
| 摘要 | 采用激光诱导有机硅烷气相合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所快速凝固非平衡合金国家实验室，中国科学院金属研究所微晶与激光加工研究室
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| 关键词 | Si_3n_4
晶须
纳米粉
非晶
Si／n／c
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28238
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李亚利,梁勇,高阳,肖克沈,郑丰,王亚庆,胡壮麒. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须[J]. 材料研究学报,1995(2):149-152.
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| APA |
李亚利,梁勇,高阳,肖克沈,郑丰,王亚庆,胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须.材料研究学报(2),149-152.
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| MLA |
李亚利,梁勇,高阳,肖克沈,郑丰,王亚庆,胡壮麒."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须".材料研究学报 .2(1995):149-152.
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