| 半导体中正电子向表面的扩散 | |
| 姜健,周新章,朱洁,龙期威 | |
| 1995-04-10 | |
| 发表期刊 | 核技术
 |
| 期号 | 4页码:199-202 |
| 摘要 | 考虑到半导体中内电场的存在对半无限介质和有限厚度薄膜中的正电子扩散过程，在各种边界条件下，利用δ函数法计算了正电子向表面扩散分数。这些结果为半导体多层复合结构中的慢正电子束实验结果的分析提供了理论基础。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所，中国科学院国际材料物理中心 |
| 关键词 | 半导体 正电子 半无限介质 薄膜 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28245 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜健,周新章,朱洁,龙期威. 半导体中正电子向表面的扩散[J]. 核技术,1995(4):199-202. |
| APA | 姜健,周新章,朱洁,龙期威.(1995).半导体中正电子向表面的扩散.核技术(4),199-202. |
| MLA | 姜健,周新章,朱洁,龙期威."半导体中正电子向表面的扩散".核技术 .4(1995):199-202. |
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