| 基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型 |
| 王绍青,孟祥敏,谢天生,褚一鸣
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| 1994-12-25
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 6页码:461 |
| 摘要 | 基于定量原子像图像分析的ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面原子结构模型王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣（中科院金属所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）（中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）由于ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体材料在半导体器件研制与生产中的... |
| 部门归属 | 中科院金属所固体原子像实验室, 中科院北京电子显微镜实验室
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| 关键词 | 图像分析:5956
原子像:5675
原子结构模型:3874
体界面:3007
高分辨:1452
晶格参数:1271
Gaas:1121
电子显微镜:1088
Insb:1073
半导:967
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28299
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王绍青,孟祥敏,谢天生,褚一鸣. 基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型[J]. 电子显微学报,1994(6):461.
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| APA |
王绍青,孟祥敏,谢天生,褚一鸣.(1994).基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型.电子显微学报(6),461.
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| MLA |
王绍青,孟祥敏,谢天生,褚一鸣."基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型".电子显微学报 .6(1994):461.
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