| 五次对称准周期晶格的电子状态结构研究 |
| 王绍青,谢天生,叶恒强
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| 1994-10-30
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| 发表期刊 | 中国科学院研究生院学报
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| 期号 | 2页码:145-151 |
| 摘要 | 文中对计算电子结构的集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法进行了改进。简化了原子集团的选取方式，提出了求解复数Ｄｙｓｏｎ方程组的矩阵解方法和平均集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法。研究了Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ的局部、整体和平均电子状态密度。发现了Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ的局部电子状态密度对准周期点阵的长程有序性特别敏感的性质。提出了计算Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ局部及整体电子状态密度应遵循的原则．得出了某些合金的准晶相可能是电子化合物的结论。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室
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| 关键词 | 准晶体
准周期性
电子结构
状态密度
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28337
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王绍青,谢天生,叶恒强. 五次对称准周期晶格的电子状态结构研究[J]. 中国科学院研究生院学报,1994(2):145-151.
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| APA |
王绍青,谢天生,叶恒强.(1994).五次对称准周期晶格的电子状态结构研究.中国科学院研究生院学报(2),145-151.
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| MLA |
王绍青,谢天生,叶恒强."五次对称准周期晶格的电子状态结构研究".中国科学院研究生院学报 .2(1994):145-151.
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