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激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成碳化硅超细粉
李亚利,粱勇,郑丰,胡壮麒
1994-10-26
发表期刊硅酸盐学报
期号5页码:500-503
摘要本工作首次采用有机硅试剂二甲基二乙氧基硅烷为反应物,进行了激光诱导气相反应,制备出平均粒径为40nm的非晶SiC粉末。粉末中C/Si比随反应气流量的变化而变化。非晶SiC粉末在1873K,氮气中退火1h后转变为β-SiC及α-SiC,同时,粉末中部分氧杂质及自由碳脱出粉末。
部门归属中国科学院金属研究所快速凝固非平衡合金国家实验室
关键词激光 碳化硅 超细粉 气相合成 二甲基二乙氧基硅烷
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28338
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李亚利,粱勇,郑丰,胡壮麒. 激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成碳化硅超细粉[J]. 硅酸盐学报,1994(5):500-503.
APA 李亚利,粱勇,郑丰,胡壮麒.(1994).激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成碳化硅超细粉.硅酸盐学报(5),500-503.
MLA 李亚利,粱勇,郑丰,胡壮麒."激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成碳化硅超细粉".硅酸盐学报 .5(1994):500-503.
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