| 氮化硅晶须的制备与显微结构 | |
| 周延春,陈声崎,夏非 | |
| 1994-05-30 | |
| 发表期刊 | 人工晶体学报
 |
| 期号 | 2页码:151-155 |
| 摘要 | 本文通过对Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系统的热力学分析，利用ＳｉＯ＿２和石墨为原料分别在１２００～１３００℃和１２５０～１４００℃流动Ｎ＿２气氛中制备了α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须。并对Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的合成反应机理进行了讨论。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所 |
| 关键词 | 氮化硅 晶须 晶须生长 显微结构 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28435 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春,陈声崎,夏非. 氮化硅晶须的制备与显微结构[J]. 人工晶体学报,1994(2):151-155. |
| APA | 周延春,陈声崎,夏非.(1994).氮化硅晶须的制备与显微结构.人工晶体学报(2),151-155. |
| MLA | 周延春,陈声崎,夏非."氮化硅晶须的制备与显微结构".人工晶体学报 .2(1994):151-155. |
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