激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究

IMR OpenIR

	激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究
	李亚利; 梁勇; 郑丰; 胡壮麒
	1993-12-31
发表期刊	材料科学与工艺
期号	4 页码:60-65
摘要	选择廉价的六甲基乙硅胺烷((Me_3Si)_2NH)和氨气为原料,采用正交设计试验参数的方法,研究了激光功率密度、六甲基乙硅胺烷蒸汽流量、氨气流量对粉体化学组成的影响。制备出低游高碳含量,高Si_3N_4含量的Si_3N_4/SiC粉体。研究结果表明,在选定的试验参数范围内,形成的粉体中Si_3N_4、SiC的相对含量在较大的范围内变化。对Si_3N_4粉体中Si_3N_4的形成影响最大的是激光功率密度,六甲基乙硅胺烷流量对其影响最小。通过试验得到了高Si_3N_4含量,低游离碳含量的Si_3N_4/SiC纳米粉形成的最佳工艺参数。
部门归属	中国科学院金属研究所16室,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所博士生沈阳市沈河区文化路72号 110015
关键词	激光合成六甲基乙硅胺烷纳米粉 Si_3n_/sic
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28511
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李亚利,梁勇,郑丰,等. 激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究[J]. 材料科学与工艺,1993(4):60-65.
APA	李亚利,梁勇,郑丰,&胡壮麒.(1993).激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究.材料科学与工艺(4),60-65.
MLA	李亚利,et al."激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究".材料科学与工艺 .4(1993):60-65.