离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜 王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时
1993-10-01
发表期刊 无机材料学报
期号 3 页码: 321-326 摘要 本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在薄膜制备中的引入,有效地降低了沉积温度,提高沉积速率,并实现了薄膜 N/Al 化学计量比的控制.对 AlN 薄膜的紫外-可见光透射谱和红外吸收谱也进行了测定. 部门归属 中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 200050
关键词 薄膜
氮化铝
磁控溅射
文献类型 期刊论文
条目标识符 http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28536
专题 中国科学院金属研究所 推荐引用方式 GB/T 7714
王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时. 离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜[J]. 无机材料学报,1993(3):321-326.
APA
王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时.(1993).离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜.无机材料学报 (3),321-326.
MLA
王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时."离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜".无机材料学报 .3(1993):321-326.
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