| InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究 |
| 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吴玉琨
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| 1993-05-01
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 2页码:146 |
| 摘要 | <正> InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所固体原子象实验室,中国科学院半导体研究所,中国科学院金属研究所固体原子象实验室,中国科学院金属研究所固体原子象实验室,
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| 关键词 | 分子束外延法:4080
错配度:3919
高质量薄膜:3563
界面区:3438
电子平均自由程:3198
电子衍射图:2991
外延生长:2527
光电器件:2501
高分辨象:2498
取向:2324
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28627
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孟祥敏,曾一平,胡魁毅,等. InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究[J]. 电子显微学报,1993(2):146.
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| APA |
孟祥敏,曾一平,胡魁毅,&吴玉琨.(1993).InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究.电子显微学报(2),146.
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| MLA |
孟祥敏,et al."InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究".电子显微学报 .2(1993):146.
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