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离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性
王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时
1992-06-29
发表期刊材料科学进展
期号3页码:236-240
摘要对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜 AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使 Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了 AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
关键词薄膜 Aln 磁控溅射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28815
专题中国科学院金属研究所
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GB/T 7714		 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时. 离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性[J]. 材料科学进展,1992(3):236-240.
APA 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时.(1992).离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性.材料科学进展(3),236-240.
MLA 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时."离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性".材料科学进展 .3(1992):236-240.
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