| 电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉 | |
| 黄荣芳,林成福 | |
| 1992-06-29 | |
| 发表期刊 | 粉末冶金技术
 |
| 期号 | 3页码:178-181 |
| 摘要 | 分析了SiC+C、SiC+Si等超微颗粒的形貌、粒度大小及分布和晶体结构。讨论了等离子弧电流I_T和I_J对超微粉粒度的影响。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015,沈阳 110015 |
| 关键词 | 电弧等离子射流 蒸发反应法 超微粉末 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28816 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄荣芳,林成福. 电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉[J]. 粉末冶金技术,1992(3):178-181. |
| APA | 黄荣芳,林成福.(1992).电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉.粉末冶金技术(3),178-181. |
| MLA | 黄荣芳,林成福."电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉".粉末冶金技术 .3(1992):178-181. |
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