| Si_3N_4陶瓷的微波烧结 |
| 张劲松,曹丽华,林小利,夏非
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| 1992-04-30
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| 发表期刊 | 材料科学进展
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| 期号 | 2页码:158-161 |
| 摘要 | 用微波烧结技术和常规无压烧结技术烧结了 Si_3N_4陶瓷。用 XRD,TEM 等方法研究了不同技术烧结的 Si_3N_4样品的组成和显微结构;用三点弯曲和压痕法分别测量了两类样品的抗弯强度和断裂轫性。结果表明,N_2气压的引入可有效地控制微波烧结过程中 Si_3N_4的分解,微波烧结可大幅度降低 Si_3N_4的致密化温度,提高相转变速度,缩短烧结时间,其力学性能也明显地提高。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳市110015
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| 关键词 | 微波烧结
陶瓷
氮化硅
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28842
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松,曹丽华,林小利,夏非. Si_3N_4陶瓷的微波烧结[J]. 材料科学进展,1992(2):158-161.
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| APA |
张劲松,曹丽华,林小利,夏非.(1992).Si_3N_4陶瓷的微波烧结.材料科学进展(2),158-161.
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| MLA |
张劲松,曹丽华,林小利,夏非."Si_3N_4陶瓷的微波烧结".材料科学进展 .2(1992):158-161.
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