| 氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积 |
| 陈岩,黄荣芳,闻立时,师昌绪
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| 1992-03-01
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| 发表期刊 | 材料科学进展
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| 期号 | 1页码:56-59 |
| 摘要 | 本文用热丝 CVD 法在氮化硅复合陶瓷及 Sialon 陶瓷上沉积了金刚石薄膜,用 X 射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、表面形貌仪、划痕实验仪对所形成的膜及基体进行了分析。初步探讨了膜与基材的附着性影响因素。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 博士生,沈阳市 110015
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| 关键词 | 热丝cvd
金刚石薄膜
热膨胀系数
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28874
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈岩,黄荣芳,闻立时,师昌绪. 氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积[J]. 材料科学进展,1992(1):56-59.
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| APA |
陈岩,黄荣芳,闻立时,师昌绪.(1992).氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积.材料科学进展(1),56-59.
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| MLA |
陈岩,黄荣芳,闻立时,师昌绪."氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积".材料科学进展 .1(1992):56-59.
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