| 超大型定向Al单晶或双晶的生长 |
| 张天宜
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| 1991-12-31
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| 发表期刊 | 人工晶体学报
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| 期号 | Z1页码:243 |
| 摘要 | <正> 用高纯度99.999％的Al,成功的定向生长出超大型单晶和双晶。根据坩埚下降法生长晶体的基本原理:将盛有熔体的坩埚,在具有一定温度的生长炉内缓慢下降,使熔体中混乱的原子,转化为有规则排列的固态晶体。晶体生长装置是用一个管装、立式、大口径可控热源的炉子,在炉腔内悬一个衡温筒;把特殊设计的石墨模具坩埚内壁涂一层很厚的涂料,经处理形成一个软模具坩埚;在坩埚中的上下端,分别放入定型的样坯和定向籽晶,悬入恒温筒 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所材料疲劳断裂实验室 沈阳,110015
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| 关键词 | 单晶:4124
定向生长:4048
晶体生长装置:3993
恒温筒:3249
软模具:3057
双晶:2982
偶合体:2782
坩埚下降法:2343
石墨模具:2113
大口径:2038
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28896
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张天宜. 超大型定向Al单晶或双晶的生长[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):243.
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| APA |
张天宜.(1991).超大型定向Al单晶或双晶的生长.人工晶体学报(Z1),243.
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| MLA |
张天宜."超大型定向Al单晶或双晶的生长".人工晶体学报 .Z1(1991):243.
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