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Bi系超导材料的晶体生长研究
葛云龙,刘清民,张成,金华,刘传胜,胡壮麒
1991-12-31
发表期刊人工晶体学报
期号Z1页码:321
摘要<正> Bi系超导材料在烧结、固态扩散的粉末冶金过程中的晶体生长及相变国内外已有较多研究。本文报导我们采用熔化(熔体缓冷,急冷非晶化,助熔剂晶体生长,非晶态晶须生长。激光加热与辐射加热区熔化晶体生长等)方法对Bi系超导体的冶金学过程中相变与晶体生长
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015
关键词晶体生长:7710 Bi系超导材料:5726 中国科学院:1521 金属研究所:1478 Bi系超导体:1082 粉末冶金:851 激光加热:645 辐射加热:584 固态扩散:560 晶须生长:534
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28899
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
葛云龙,刘清民,张成,金华,刘传胜,胡壮麒. Bi系超导材料的晶体生长研究[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):321.
APA 葛云龙,刘清民,张成,金华,刘传胜,胡壮麒.(1991).Bi系超导材料的晶体生长研究.人工晶体学报(Z1),321.
MLA 葛云龙,刘清民,张成,金华,刘传胜,胡壮麒."Bi系超导材料的晶体生长研究".人工晶体学报 .Z1(1991):321.
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