| 激光区熔法生长Bi系超导复合带(线)材 |
| 葛云龙,刘清民,金华,刘传胜,胡壮麒
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| 1991-12-31
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| 发表期刊 | 人工晶体学报
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| 期号 | Z1页码:327 |
| 摘要 | <正> 在Ag基材(厚0.1mm带,直径0.1mm线)上非平衡凝固熔敷微米厚度超导膜,用激光区熔定向凝固晶体生长方法制备出致密,有明显结构取向的Bi系复合超导带(线)材。系统研究了成分配比(1112,2212,2223,+Pb),激光区熔晶体生长参数(功率密度、生长速度),后续热处理制度(温度、时间、气氛)对复合超导材料的显微特征(相结构、组成、 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015,沈阳,110015
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| 关键词 | 区熔法:4948
晶体生长:4256
复合带:3958
中国科学院:2975
金属研究所:2890
定向凝固:2547
激光:2519
超导材料:2121
显微特征:1934
非平衡凝固:1852
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28900
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
葛云龙,刘清民,金华,刘传胜,胡壮麒. 激光区熔法生长Bi系超导复合带(线)材[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):327.
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| APA |
葛云龙,刘清民,金华,刘传胜,胡壮麒.(1991).激光区熔法生长Bi系超导复合带(线)材.人工晶体学报(Z1),327.
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| MLA |
葛云龙,刘清民,金华,刘传胜,胡壮麒."激光区熔法生长Bi系超导复合带(线)材".人工晶体学报 .Z1(1991):327.
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