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Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*
隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光
1991-08-29
发表期刊材料科学进展
期号4页码:308-314
摘要在透射电镜中对 Fe-3%Si 单晶体薄膜进行拉伸试验,观察了在受力状态下裂纹尖端的位错行为及固溶氢的影响。结果表明,在受力时裂尖会自动发射位错。位错一旦从裂尖发射,便很快离开裂纹尖端以反塞积群形式存在于塑性区中。在裂纹尖端与塑性区之间存在一无位错区(DFZ)。裂纹扩展包括裂尖发射位错的塑性过程以及 DFZ 解理的脆性过程。固溶的氢改变了裂纹尖端的位错分布,促进了位错从裂尖发射,致使 DFZ 的长度减小甚至消失。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,吉林大学材料科学研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015
关键词位错 无位错区 局部应力强度因子 氢脆 塑性
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28936
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光. Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*[J]. 材料科学进展,1991(4):308-314.
APA 隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光.(1991).Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*.材料科学进展(4),308-314.
MLA 隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光."Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*".材料科学进展 .4(1991):308-314.
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