| 热解氮化硼坩埚材料生长与性能 | |
| 赵凤鸣 | |
| 1991-06-30 | |
| 发表期刊 | 半导体情报
 |
| 期号 | 6页码:88-91 |
| 摘要 | 本文叙述了热解氮化硼(PBN)坩埚材料的生长机理与工艺,给出了PBN材料的显微结构照片、晶格参数、物理性能、化学性能、热性能及电学性能。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所 沈阳 110015 |
| 关键词 | 化学汽相沉积 氮化合物 物理性质 化学性质 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28962 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣. 热解氮化硼坩埚材料生长与性能[J]. 半导体情报,1991(6):88-91. |
| APA | 赵凤鸣.(1991).热解氮化硼坩埚材料生长与性能.半导体情报(6),88-91. |
| MLA | 赵凤鸣."热解氮化硼坩埚材料生长与性能".半导体情报 .6(1991):88-91. |
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