| 超导单晶晶须的生长 |
| 葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒
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| 1991-05-01
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发表期刊 | 科学通报
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期号 | 8页码:575-577 |
摘要 | <正> 一、引言 在多晶氧化物超导材料中,由于晶界及晶粒取向造成的颗粒弱连接,限制了临界电流密度的提高,使其难于达到实用要求。为了深入研究氧化物超导材料的晶体结构、超导性与其他物理性能,大幅度提高J_c值以满足实用要求,制备高质量大尺寸的单晶是非常重要的,尤其是柔 |
部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015,沈阳 110015,沈阳 110015,沈阳 110015
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关键词 | Bi(Pb)-sr-ca-cu-o超导体
非平衡凝固
柔性(2212)单晶晶须
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28986
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒. 超导单晶晶须的生长[J]. 科学通报,1991(8):575-577.
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APA |
葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒.(1991).超导单晶晶须的生长.科学通报(8),575-577.
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MLA |
葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒."超导单晶晶须的生长".科学通报 .8(1991):575-577.
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