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超导单晶晶须的生长
葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒
1991-05-01
发表期刊科学通报
期号8页码:575-577
摘要<正> 一、引言 在多晶氧化物超导材料中,由于晶界及晶粒取向造成的颗粒弱连接,限制了临界电流密度的提高,使其难于达到实用要求。为了深入研究氧化物超导材料的晶体结构、超导性与其他物理性能,大幅度提高J_c值以满足实用要求,制备高质量大尺寸的单晶是非常重要的,尤其是柔
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015,沈阳 110015,沈阳 110015,沈阳 110015
关键词Bi(Pb)-sr-ca-cu-o超导体 非平衡凝固 柔性(2212)单晶晶须
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28986
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒. 超导单晶晶须的生长[J]. 科学通报,1991(8):575-577.
APA 葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒.(1991).超导单晶晶须的生长.科学通报(8),575-577.
MLA 葛云龙,刘清民,金华,胡壮麒."超导单晶晶须的生长".科学通报 .8(1991):575-577.
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