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Al-Cu-Mg合金中S′相生长微观机制的高分辨电子显微术研究
金延; 李春志; 颜鸣皋
1990-12-31
发表期刊航空材料学报
期号S1页码:59-66
摘要本文用高分辨电子显微术(HREM)研究了A1-Cu-Mg合金中S’相界面结构和生长微观机理。研究发现,s’相(001)和(010)界面均存在界面错配位错(BMD),但只有(001)s’界面存在生长台阶,对BMD柏氏矢量及其相互作用的理论计算表明,(001)s’界面上BMD相互吸引,(010)s’界面上BMD相互排斥,据此进一步提出了一种S’相台阶生长机制。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 北京航空材料研究所,北京航空材料研究所,北京航空材料研究所
关键词高分辨电子显微术:6119 生长台阶:3681 相界面结构:3606 微观机制:3323 相互作用:2681 生长机制:2230 合金:2107 界面错配位错:1758 矢量:1751 理论计算:1474
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29034
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
金延,李春志,颜鸣皋. Al-Cu-Mg合金中S′相生长微观机制的高分辨电子显微术研究[J]. 航空材料学报,1990(S1):59-66.
APA 金延,李春志,&颜鸣皋.(1990).Al-Cu-Mg合金中S′相生长微观机制的高分辨电子显微术研究.航空材料学报(S1),59-66.
MLA 金延,et al."Al-Cu-Mg合金中S′相生长微观机制的高分辨电子显微术研究".航空材料学报 .S1(1990):59-66.
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