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SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究
闻立时,赵航炜,黄荣芳
1990-12-27
发表期刊材料科学进展
期号6页码:555-558
摘要本文采用 X 射线衍射、扫描电镜、分析电子显微镜和高分辩电镜,研究了热压复合SiC-A1_2O_3陶瓷的相组成、晶须、晶须-基体界面间的显微结构。结果表明,复合陶瓷中的晶须为15R 型 SiC,基体为三方晶型的α-Al_2O_3。晶须内有大量的层错和孪晶;晶须-基体界面间存在一个过渡层,并有一定的取向关系。扫描电镜对样品断口的研究表明,存在晶须拔出和裂纹偏转两种增韧机制。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
关键词碳化硅 氧化铝 晶须 显微结构 陶瓷
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29042
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
闻立时,赵航炜,黄荣芳. SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究[J]. 材料科学进展,1990(6):555-558.
APA 闻立时,赵航炜,黄荣芳.(1990).SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究.材料科学进展(6),555-558.
MLA 闻立时,赵航炜,黄荣芳."SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究".材料科学进展 .6(1990):555-558.
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