Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系

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	Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系
	王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文
	1990-10-28
发表期刊	材料科学进展
期号	5 页码:433-435
摘要	同时测量了一些 Y-Ba-Cu-O 超导样品的交流磁化率、正常态电阻和临界电流密度。计算了交流磁化率的虚部极大值与实部之比。结果表明,x_(max)~″/x′和ρ_n 小的样品,临界电流密度大。
部门归属	中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
关键词	Y-ba-cu-o氧化物交流磁化率临界电流密度
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29052
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文. Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系[J]. 材料科学进展,1990(5):433-435.
APA	王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文.(1990).Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系.材料科学进展(5),433-435.
MLA	王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文."Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系".材料科学进展 .5(1990):433-435.