| 包含逃逸过程的正电子位错捕获模型 | |
| 熊良钺; 龙期威 | |
| 1990-09-28 | |
| 发表期刊 | 高能物理与核物理
 |
| 期号 | 9页码:769-776 |
| 摘要 | 本文给出一个包含逃逸过程的正电子位错捕获模型,附带讨论割阶通过位错捕获正电子的温度依赖性,并找出正电子主要湮没在位错线上的起始温度. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所中国科学院国际材料物理中心,中国科学院金属研究所中国科学院国际材料物理中心 沈阳,沈阳 |
| 关键词 | 正电子湮没:6366 位错芯:3973 捕获率:3289 温度依赖性:3009 逃逸率:2481 割阶:2158 位错线:2079 模型:1982 自由态:1643 高能物理与核物理:1424 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29069 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊良钺,龙期威. 包含逃逸过程的正电子位错捕获模型[J]. 高能物理与核物理,1990(9):769-776. |
| APA | 熊良钺,&龙期威.(1990).包含逃逸过程的正电子位错捕获模型.高能物理与核物理(9),769-776. |
| MLA | 熊良钺,et al."包含逃逸过程的正电子位错捕获模型".高能物理与核物理 .9(1990):769-776. |
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