| 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径 |
| 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依
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| 1989-04-01
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| 发表期刊 | 物理
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| 期号 | 3页码:158-160 |
| 摘要 | 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 高氧化物:4800
超导体材料:4470
工艺途径:3876
激光晶体生长:3747
激光加热:3374
高临界电流密度:3077
单晶纤维:1897
金属研究所:1104
定向结晶:1076
Ybco:1029
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29270
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理,1989(3):158-160.
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| APA |
葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依.(1989).激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径.物理(3),158-160.
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| MLA |
葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依."激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径".物理 .3(1989):158-160.
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