| 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径 | |
| 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依 | |
| 1989-04-01 | |
| Source Publication | 物理
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| Issue | 3Pages:158-160 |
| Abstract | 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理，主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用，尤其是在高Ｔｃ氧化物超导体材料提高临界电流密度（Ｊｃ）方面所取得的重要成果． |
| description.department | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 |
| Keyword | 高氧化物:4800 超导体材料:4470 工艺途径:3876 激光晶体生长:3747 激光加热:3374 高临界电流密度:3077 单晶纤维:1897 金属研究所:1104 定向结晶:1076 Ybco:1029 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29270 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理,1989(3):158-160. |
| APA | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依.(1989).激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径.物理(3),158-160. |
| MLA | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依."激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径".物理 .3(1989):158-160. |
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