| 硅中氧沉淀的高分辨电镜研究 |
| 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌
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| 1987-08-14
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| 发表期刊 | 科学通报
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| 期号 | 15页码:1198-1199 |
| 摘要 | <正> 最近我们用高分辨电镜方法研究了750℃50—100h退火后直拉硅单晶中的氧沉淀。选择750℃退火的原因有二:①大规模集成电路工艺正在开发以氧沉淀及其诱生的位错、层错吸收有害杂质的新技术,为了提高氧沉淀速率,常在750℃附近的温度对硅片进行预先热处理。②文献报道,750℃附 |
| 部门归属 | 北京钢铁学院,北京钢铁学院,北京钢铁学院,中国科学院金属研究所 沈阳
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| 关键词 | 高分辨电镜研究:6353
方法研究:4669
氧沉淀:4372
集成电路工艺:2400
直拉硅单晶:2231
预先热处理:1658
沉淀速率:1325
硅中氧:1179
有害杂质:1139
新技术:875
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29434
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌. 硅中氧沉淀的高分辨电镜研究[J]. 科学通报,1987(15):1198-1199.
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| APA |
肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌.(1987).硅中氧沉淀的高分辨电镜研究.科学通报(15),1198-1199.
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| MLA |
肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌."硅中氧沉淀的高分辨电镜研究".科学通报 .15(1987):1198-1199.
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