| HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究 |
| 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲
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| 1987-05-31
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| 发表期刊 | 材料保护
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| 期号 | 5页码:14-18 |
| 摘要 | 用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | Hcd离子镀
离子镀(Ti
空心阴极放电离子镀
Ai
离子沉积
v)N合金
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29461
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲. HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究[J]. 材料保护,1987(5):14-18.
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| APA |
闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲.(1987).HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究.材料保护(5),14-18.
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| MLA |
闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲."HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究".材料保护 .5(1987):14-18.
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