| 位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性 |
| 谌季强,龙期威,汪克林
|
| 1987-05-16
|
| 发表期刊 | 科学通报
 |
| 期号 | 9页码:661-664 |
| 摘要 | <正> 一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果。这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果。然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突 |
| 部门归属 | 中国科学技术大学,中国科学院金属研究所,中国科学技术大学 合肥,沈阳,合肥
|
| 关键词 | 正电子湮没:5757
湮没效应:4287
位错模型:3881
线性膨胀:3854
离子密度:2791
实验结果:2045
模型描述:1960
孔模型:1008
角关联:979
内层电子:859
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29471
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
谌季强,龙期威,汪克林. 位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性[J]. 科学通报,1987(9):661-664.
|
| APA |
谌季强,龙期威,汪克林.(1987).位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性.科学通报(9),661-664.
|
| MLA |
谌季强,龙期威,汪克林."位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性".科学通报 .9(1987):661-664.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论