| 热解石墨涂层外延基座的工艺与性能 |
| 赵凤鸣
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| 1987-04-02
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| 发表期刊 | 碳素
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| 期号 | 1页码:38-46 |
| 摘要 | <正> 一、序言 七十年代初科学院一0九厂用我所涂层的热解石墨基座再包硅,而后在外延中应用,取得了单片基座使用寿命两年之久的好结果。但因多种原因工作未能继续。1976年,我们根据对外延工艺的了解和国内外延基座存在的问题,即:“硅外延片几乎都有雾点,二极管和三极管的制管成品率很低”的状况,推荐使用热解石墨涂层外延基座,首先在辽阳第一晶体管厂进行试用,同时逐渐推广到全国务研究单位和半导体厂。经过一段时间的验证,普遍反应效果良好,使用寿命长,并制得了经铬酸腐蚀液处理后表面 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 热解石墨:8991
涂层:3034
工艺与性能:1725
沉积温度:1548
外延片:1386
包硅:1011
三高:702
基体石墨:667
石墨基座:596
热膨胀率:578
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29492
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵凤鸣. 热解石墨涂层外延基座的工艺与性能[J]. 碳素,1987(1):38-46.
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| APA |
赵凤鸣.(1987).热解石墨涂层外延基座的工艺与性能.碳素(1),38-46.
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| MLA |
赵凤鸣."热解石墨涂层外延基座的工艺与性能".碳素 .1(1987):38-46.
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