| Ti-N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究 |
| 闻立时,姜辛,斯重遥
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| 1986-12-31
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| 发表期刊 | 无机材料学报
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| 期号 | 4页码:367-373 |
| 摘要 | 对用电子衍射法研究涂层晶体择优取向进行了尝试。首先从晶体电子衍射的基本原理出发从方法上进行探讨,然后用 Ti-N 涂层进行检验,给出了较为精确的结果。并将 X 射线衍射技术作为辅助手段研究了工艺参数对 Ti-N 涂层晶体择优取向的影响。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳市,沈阳市,沈阳市
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| 关键词 | Ti-n 涂层
晶体
择优取向
电子衍射
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29536
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
闻立时,姜辛,斯重遥. Ti-N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究[J]. 无机材料学报,1986(4):367-373.
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| APA |
闻立时,姜辛,斯重遥.(1986).Ti-N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究.无机材料学报(4),367-373.
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| MLA |
闻立时,姜辛,斯重遥."Ti-N涂层晶体择优取向的电子衍射法研究".无机材料学报 .4(1986):367-373.
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