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Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究
张京,刘安生,吴自勤,郭可信
1986-07-30
发表期刊物理学报
期号7页码:965-968+970-974
摘要本工作利用透射电子显微术研究了Pd-Si薄膜固相反应的初始生成相及生成相Pd_2Si与(111)取向Si衬底的取向关系随Pd膜厚度、退火温度等因素的变化规律。实验结果表明:在衬底保持室温的条件下,Pd沉积到Si(111)上时也能够生成一层外延的Pd_2Si,其厚度足以在常规的选区电子衍射中产生明显的信号。在170℃退火时,Pd-Si反应即可持续到生成200nm厚的外延的Pd_2Si。在Pd膜厚度为400nm的条件下,Pd_2Si与Si(111)衬底的取向关系为[0001]_(Pd_2Si)轴织构。
部门归属北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院,中国科学技术大学基础物理中心,中国科学院金属研究所
关键词Si薄膜:5337 Pd膜:5131 透射电子显微镜:3251 固相反应:3190 外延:2777 织构:2552 退火温度:1741 衍射图:1698 图版:1556 取向关系:1360
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29574
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张京,刘安生,吴自勤,郭可信. Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究[J]. 物理学报,1986(7):965-968+970-974.
APA 张京,刘安生,吴自勤,郭可信.(1986).Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究.物理学报(7),965-968+970-974.
MLA 张京,刘安生,吴自勤,郭可信."Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究".物理学报 .7(1986):965-968+970-974.
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