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硫偏析在钼(111)表面上的有序结构
樊永年
1986-05-31
发表期刊物理学报
期号5页码:667-671
摘要用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-硫和1/3()-硫两种表面结构的低能衍射图。
部门归属中国科学院金属研究所
关键词表面偏析:5256 硫偏析:5174 俄歇:3825 峰高比:2997 退火时间:2615 有序结构:2471 衍射图:1818 低能电子衍射:1778 动力学实验:1210 饱和值:1044
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29594
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
樊永年. 硫偏析在钼(111)表面上的有序结构[J]. 物理学报,1986(5):667-671.
APA 樊永年.(1986).硫偏析在钼(111)表面上的有序结构.物理学报(5),667-671.
MLA 樊永年."硫偏析在钼(111)表面上的有序结构".物理学报 .5(1986):667-671.
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