| Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究 |
| 李广义; 潘正良; 王晓伟; 肖金泉
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| 1986-04-01
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 3页码:26-32 |
| 摘要 | 测量了冷加工的高纯Ta丝在电解加氢前后的低频内耗。发现在加氢后除出现氢化物沉淀峰外,氢一位错交互作用的内耗峰也降低,附加范性扭形变对沉淀峰有明显的增强作用;在氧原子可动的温度范围内时效,可以完全消除形变对沉淀峰的增强作用。结果表明,氢化物可能择优在位错上沉淀。沉淀峰的本质可能与位错-氢化物交互作用有关。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,
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| 关键词 | 氢化物:6071
沉淀过程:3746
低频内耗:3716
内耗峰:3163
位错交互作用:2408
冷加工:2338
增强作用:2086
扭转形变:1946
范性形变:1808
加氢:1611
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29623
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李广义,潘正良,王晓伟,等. Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究[J]. 金属学报,1986(3):26-32.
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| APA |
李广义,潘正良,王晓伟,&肖金泉.(1986).Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究.金属学报(3),26-32.
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| MLA |
李广义,et al."Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究".金属学报 .3(1986):26-32.
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