| 空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性 |
| 谌季强,汪克林,龙期威
|
| 1985-08-29
|
| 发表期刊 | 核技术
 |
| 期号 | 8页码:6 |
| 摘要 | <正> 晶体中空位型缺陷提供了一个正电子捕获势阱,我们以铝为例,计算和讨论了几种不同形式的二维柱对称势阱对基态正电子的局域、湮没及其与缺陷宽度的依赖特性,得到的结论是:1)对取值有界的缺陷势阱,随缺陷宽度变化总存在使得正电子波函数局域在缺陷中心最强的尺寸R_l;2)正电子湮没寿命随缺陷宽度变化的曲线在大于R_l以后才开始明显出现饱和效应;3)中空类型缺陷当其宽度大于一定尺寸R_s以后出现表面效应,R_s远大于R_l;4)存在着下列不等式:R_(s晶界) |
| 部门归属 | 中国科学技术大学,中国科学技术大学,中国科学院金属研究所
|
| 关键词 | 空位型缺陷
正电子捕获势阱
缺陷宽度
正电子波函数
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29658
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
谌季强,汪克林,龙期威. 空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性[J]. 核技术,1985(8):6.
|
| APA |
谌季强,汪克林,龙期威.(1985).空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性.核技术(8),6.
|
| MLA |
谌季强,汪克林,龙期威."空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性".核技术 .8(1985):6.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论