| 热解氮化硼在分子束外延中的应用 | |
| 黄运衡; 赵凤鸣 | |
| 1985-08-29 | |
| Source Publication | 真空科学与技术
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| Issue | 4Pages:59-62 |
| Abstract | 热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是七十年代发展起来的新型无机陶瓷材料。它可以作绝缘屏蔽和坩锅。本文将介绍PBN材料在分子束外延中用作坩埚,已生长出纯度较高的GaAs,Al_xGa_(1-x)As单晶薄膜。 |
| description.department | 中国科学院半导体所,中国科学院金属所, |
| Keyword | 分子束外延生长:7211 氮化硼:4324 热解:2616 纯度:2045 真空性能:1927 陶瓷材料:1824 源材料:1781 单晶薄膜:1763 高纯石墨:1681 火花源质谱:1449 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29666 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄运衡,赵凤鸣. 热解氮化硼在分子束外延中的应用[J]. 真空科学与技术,1985(4):59-62. |
| APA | 黄运衡,&赵凤鸣.(1985).热解氮化硼在分子束外延中的应用.真空科学与技术(4),59-62. |
| MLA | 黄运衡,et al."热解氮化硼在分子束外延中的应用".真空科学与技术 .4(1985):59-62. |
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